基于第一性原理的碳纳米管/铜复合材料界面电子结构与导电机制研究
编号：57
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更新：2026-03-26 15:26:53 浏览：58次
口头报告
摘要
碳纳米管/铜（CNT/Cu）复合材料因其卓越的电学特性在新型电工材料研究中展现出巨大潜力，但其界面电子行为对宏观导电性能的影响仍有待深入探究。本研究基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理方法，系统构建了嵌入式CNT/Cu复合界面模型。结果发现，CNT中的C-p 轨道与基体 Cu-d 轨道的能级分布在费米能级附近保持相对独立，未观察到明显的轨道杂化共振峰，表明界面结合主要表现为较弱的相互作用。进一步结合电荷差分密度图与 Bader 电荷分析发现，CNT 与Cu 界面处存在显著的电荷转移，清晰地揭示了电子在界面处的转移与空间分布规律。本研究从原子尺度阐明了CNT/Cu复合材料界面的本征导电机理，为开发高性能、高可靠性新型复合电工材料提供理论支撑。
关键字
碳纳米管/铜复合材料；第一性原理；界面电子结构
：朱远惟
：13572997830 
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