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不同温度下半导电材料对XLPE空间电荷分布的影响研究
编号:49 稿件编号:16 访问权限:仅限参会人 更新:2026-03-26 15:21:42 浏览:56次 口头报告

报告开始:暂无开始时间 (Asia/Shanghai)

报告时间:暂无持续时间

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摘要
为研究半导电电极电阻率对XLPE绝缘空间电荷行为及电场分布特性的影响,在30-90℃及5-60 kV/mm条件下,采用两种电阻率不同的半导电材料#A、#B作为上电极,对XLPE样片进行空间电荷测试,并计算电场畸变率。结果表明,在30℃条件下,电阻率较低的#A电极下绝缘内部以负极性电荷为主,而电阻率较高的#B电极下以正极性电荷为主,电场畸变率整体较高,且#B电极条件下畸变更为显著,说明低温阶段空间电荷主要受界面注入机制控制,电极电阻率通过调制载流子注入能力显著影响电荷极性及电场分布。随着温度升高至50℃,空间电荷密度与电场畸变率明显下降,电极间差异减弱,表明载流子迁移与复合过程增强,系统由界面控制向界面–体输运耦合机制转变。当温度进一步升至70-90℃时,整体空间电荷积累显著受抑,电场畸变率降至较低水平,仅在高场区域存在轻微差异,表明高温条件下体电导主导电荷演化过程,电极电阻率影响被明显削弱。
 
关键字
半导电屏蔽,宽温度场,空间电荷
报告人
崔嘉保
硕士研究生 上海交通大学

稿件作者
崔嘉保 上海交通大学
吴建东 上海交通大学
尹毅 上海交通大学
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